氮化镓(GaN)晶片作为第三代半导体发展的关键材料，是未来新一代光电子、功率电子和高频微电子器件的关键支撑材料。其核心技术是氢化物气相外延。在流体动力学模拟、应用控制技术、衬底分离技术、掺杂技术、研磨抛光技术等多方面取得突破，实现了氮化镓(GaN)晶片的成套制备技术，各项技术指标达到国际先进水平。

　　合作方式面议

　　联系单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

　　联系人周扬

　　联系电话13912612332

　　邮箱yangzhou2008@sinano.ac.cn