磷化锌锗 (ZnGeP2， ZGP)和砷化锗镉(CdGeAs2， CGA)晶体是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最好的，这两种晶体是所有已知的非线性光学晶体中非线性系数最高者之一。本人于2003年获得国家自然科学基金资助，进行ZGP的研制；同时，2003年1月-2004年1月获国家教委留学基金资助，在美国斯坦福大学先进材料实验室Feigelson教授研究组从事ZnGeP2和CdGeAs2晶体的生长研究工作。在此工作的1年时间里，生长CdGeAs2和CdGe(As1-xPx)2 晶体23根，共获得测试样品110块，进行了吸收系数、电子顺磁共振、电子显微探针、霍尔效应的测试，取得了很好的实验结果。另外，应英国皇家学院和牛津大学的共同邀请于2004年8月至10月，在牛津大学材料系通过先进的测试仪器对磷化锗锌晶体的微观结构进行了深入细致的研究。目前，生长出的晶体性能达到国际先进水平，尺寸长度达到10cm。 应用领域：    利用它作为光参量振荡、光参量放大、二次谐波、四次谐波等的非线性介质材料，可以在中、远红波段的频率转换方面获得广阔的应用前景，尤其是对激光功率要求较高的领域，获得广阔的应用前景，如红外光谱、红外医疗器械、药物检测、红外光刻、大气中有害物质的监测、远距离化学传感、红外激光定向干扰、夜视仪等。