纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应，以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano 效应、Kondo 效应等，使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料，尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。  技术指标：     南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的从金属铋直接电解合成铋系纳米材料的可控合成工艺，工艺流程短，操作简单，电解液廉价易得、可重复使用，与环境有很好的相容性，能够满足工业化生产所要求的低成本、高效益和高环保。制备的Bi纳米片，尺寸大约75 nm，是重要的原材料；铋氯氧化物BiOCl单晶纳米片，平均厚度10 nm，当量直径30-60 nm，两个明显的发光带分别位于3.12 eV和2.53 eV，可见光照下具有比目前市场上广泛采用二氧化钛明显优越光催化活性；Bi24O31Cl10 单晶纳米片自组装成的纳米花，片的平均厚度10-20 nm，在3.64 eV处表现出明显明显的紫外光发射；非计量氧化铋Bi2O2.33纳米片，片的平均厚度10-20 nm，在3.44 eV处表现出明显的紫外光发射，且物理、化学稳定性好。