【技术简介】本项目围绕探测器用CdZnTe晶体的制备与开发应用，采用改进的垂直布里奇曼技术，通过合理设计成分以及选择合适的掺杂元素和掺杂量，探索了优化的晶体生长和退火改性工艺，生长出满足探测器要求的高性能CdZnTe晶体。围绕对X射线和γ射线等不同能量射线检测及应用的要求，解决了探测器用CdZnTe晶体的磨抛加工、表面处理以及接触电极的制备难题，建立了探测器用CdZnTe晶片的筛选机制和生产线，制备了对X射线和γ射线响应良好的CdZnTe探测器，实现了CdZnTe晶体和探测器的小批量生产。

　　【技术特点】 
　　（1）高能量分辨率；
　　（2）高探测效率；
　　（3）高稳定性；
　　（4）室温使用；

　　【技术水平】
　　（1）CdZnTe晶锭直径：≥60mm；
　　（2）单晶尺寸：5´5´3mm；10´10´10mm；20´20´5m；，
　　（3）晶体电阻率：≥1010W cm；
　　（4）晶体载流子输运特性mt≥10-3 cm2/V；
　　（5）CdZnTe探测器对241Am@59.5KeV的能量分辨率：＜5%；
　　（6）CdZnTe探测器对137Cs@662KeV的能量分辨率： ＜2%。

　　【可应用领域和范围】适用于环境监测、核技术、医学诊断、工业无损检测、安全检查、天文观测。

　　【专利状态】已获得专利11项。

　　【技术状态】 小批量生产阶段

　　【合作方式】技术转让

　　【投入需求】本项目产业化总投资约需2亿元，主要包括厂区平面、工艺厂房、辅助厂房、办公生活区建筑、工艺设备、动力设备购置及安装等。

　　【预期效益】本项目的建成对提高和健全我国辐射探测器晶体材料产业具有十分重大的意义，将打破美国、加拿大等国对第三代辐射探测器CZT晶体生长技术的垄断，进一步促进CZT材料在各类辐射探测器领域的应用。
　　项目完成后将形成CZT晶体材料及元件的批量生产能力，配置60台晶体生长炉，产能达到2000万立方毫米/年，销售额11600万元/年。

　　【联系方式】李源  029-88430816