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GaN HEMT外延材料
外延材料
所属行业:
新材料
合作信息期限:
2020-2
参考价格:
面议
合作信息类型:
意向合作
机构类型:
科研院所
供求关系:
供应
合作信息简介:
【技术简介】GaN HEMT材料具有低的导通电阻、高的工作频率,能满足下一代功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。相对于同为宽禁带半导体的SiC大功率器件,GaN高功率器件不仅具有耐高压以及高电流的特性,更具有开关速度快,在同样的耐压条件下,导通电阻远低于SiC功率器件等优..
大尺寸硅外延生产技术
大尺寸
硅外延
生产技术
所属行业:
新材料
合作信息期限:
2016-2
参考价格:
面议
合作信息类型:
意向合作
机构类型:
企业
供求关系:
供应
合作信息简介:
【技术简介】通过对外延设备在硅片上再生长一层外延层的控制、不同的参杂等,可满足不同客户的产品需求。外延工艺是以 SiHCl3为源,通过中频加热方式进行气相淀积,电阻率、厚度、均匀性和重复性均能得到较好的控制。 【技术特点】已完全掌握6~8英寸硅外延工艺和技术,产品及工艺技术水平国内..
新一代无线移动通信用射频集成电路及模块
无线移动通信
射频
集成电路
所属行业:
电子信息
合作信息期限:
2016-2
参考价格:
面议
合作信息类型:
意向合作
机构类型:
企业
供求关系:
供应
合作信息简介:
【技术简介】 (1)射频控制类集成电路技术。采用成熟的0.5um PHEMT技术加工的PHEMT具有较低的沟道电阻,较高的击穿电压,加上精确的金属膜电阻技术和通孔技术,可以实现低插损、高隔离的射频开关芯片设计。 (2)GaAs多功能IC的设计技术。在IC设计中,采用E/D PHEMT技术,将增强型和耗尽型..
共
1
页 总数:
3
条
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