合作信息
高性能氮化镓基电子材料
发布单位:中国科学院半导体研究所
所属行业:机械、电子信息、先进装备制造
合作信息类型:意向合作
机构类型:企业
供求关系:供应
合作信息期限:2016-12
参考价格:面议
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合作信息简介
【技术领域】微电子与电子信息
【技术开发单位】中国科学院半导体研究所
【技术简介】采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在蓝宝石或碳化硅衬底上外延高性能氮化镓(GaN)基电子材料。
【技术特点】采用本技术制备GaN基电子材料,生长速度快,产量高,质量、重复性和均匀性好。利用制备材料已研制出国内第一支GaN基HEMT和X波段GaN基功率器件,国内第一块GaN功率MMIC,以及国内领先、国际先进的GaN基功率器件。
【技术水平】已达到国内领先、国际先进水平,部分指标达到国际领先水平,GaN基电子材料主要指标如下:
(1)尺寸:2英寸或3英寸;
(2)平均方块电阻:270Ω/□~400Ω/□;
(3)方块电阻不均匀性:<3% ;
(4)室温二维电子气迁移率:>1800cm2/Vs;
(5)10μm×10μm范围表面粗糙度:<0.5nm。
【可应用领域和范围】该材料适于研制高频、大功率GaN基功率器件和单片集成电路,在手机基站、卫星通信、航空航天等领域具有重大应用前景和市场潜力。
【专利状态】已获得专利14项,申请专利1项。
【技术状态】小批量生产阶段
【合作方式】技术转让 股权投资 风险投资 合作开发
【投入需求】外延材料生长的MOCVD设备、测试设备及超净工艺间。
【预期效益】目前碳化硅衬底的GaN基电子材料,3英寸的大约10万元/片,2英寸的大约5~8万元/片。利用本技术建立2~3英寸GaN基电子材料研制平台,可满足国内器件和电路研制单位对GaN基电子材料的需求。按照两台(2英寸和3英寸各一台)3片MOCVD系统估计,每年可生长2英寸和3英寸外延片各1500片,预计经济效益可超过2亿元。
【联系方式】王晓亮 010-82304170 13910513723
【技术开发单位】中国科学院半导体研究所
【技术简介】采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在蓝宝石或碳化硅衬底上外延高性能氮化镓(GaN)基电子材料。
【技术特点】采用本技术制备GaN基电子材料,生长速度快,产量高,质量、重复性和均匀性好。利用制备材料已研制出国内第一支GaN基HEMT和X波段GaN基功率器件,国内第一块GaN功率MMIC,以及国内领先、国际先进的GaN基功率器件。
【技术水平】已达到国内领先、国际先进水平,部分指标达到国际领先水平,GaN基电子材料主要指标如下:
(1)尺寸:2英寸或3英寸;
(2)平均方块电阻:270Ω/□~400Ω/□;
(3)方块电阻不均匀性:<3% ;
(4)室温二维电子气迁移率:>1800cm2/Vs;
(5)10μm×10μm范围表面粗糙度:<0.5nm。
【可应用领域和范围】该材料适于研制高频、大功率GaN基功率器件和单片集成电路,在手机基站、卫星通信、航空航天等领域具有重大应用前景和市场潜力。
【专利状态】已获得专利14项,申请专利1项。
【技术状态】小批量生产阶段
【合作方式】技术转让 股权投资 风险投资 合作开发
【投入需求】外延材料生长的MOCVD设备、测试设备及超净工艺间。
【预期效益】目前碳化硅衬底的GaN基电子材料,3英寸的大约10万元/片,2英寸的大约5~8万元/片。利用本技术建立2~3英寸GaN基电子材料研制平台,可满足国内器件和电路研制单位对GaN基电子材料的需求。按照两台(2英寸和3英寸各一台)3片MOCVD系统估计,每年可生长2英寸和3英寸外延片各1500片,预计经济效益可超过2亿元。
【联系方式】王晓亮 010-82304170 13910513723