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我国高性能传感器集成电路取得突破性进展
日前,南京理工大学的一篇关于物理传感器方面的论文在微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEE JOURNAL OFSOLID-STATE CIRCUITS(JSSC)刊出。该研究成果表示我国在MEMS惯性传感器专用集成电路设计方面取得突破性发展。 现代生活中,智能手机、汽车导航、游戏机、数码相机、音乐播放器、无线鼠标、硬盘保护器、智能玩具、计步器、防盗系统等等都融入了MEMS惯性传感器,虽然它们通常只有几毫米甚至更小,却是解决导航、定位、定向和运动姿态测量的重要部件。 2015年9月,微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS(JSSC)..
2015-09-26
上海硅酸盐所在SiC-LED研究中取得突破性进展
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关,在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术,如SiC单晶底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展,研制出了多种结构的SiC-LED,并封装成了灯具,完全打通了SiC-LED技术路线,为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下了基础。 半导体照明是一种基于LED的新型光源的固态照明,衬底材料是半导体照明产业技术发展的基础,不同的衬底材料决定了LED外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术。因此,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线,目前用于LED的衬底材料主要有蓝宝石、碳化硅(SiC)、硅以及金属衬..
2014-08-26
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