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我国已掌握新一代存储芯片核心技术
科技日报讯 （记者左常睿）11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。 目前静态随机存储技术、动态随机存储技术和快闪存储技术应用最为广泛。近几年才逐渐步入商品化的最新一代存储技术——相变存储技术，由于是利用材料相变产生不同的特性作资料存储，存储容量远远大于目前的高端硬盘。与现有传统芯片相比，相变存储器执..
2015-04-27
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页 总数：
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