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我国高性能传感器集成电路取得突破性进展
日前,南京理工大学的一篇关于物理传感器方面的论文在微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEE JOURNAL OFSOLID-STATE CIRCUITS(JSSC)刊出。该研究成果表示我国在MEMS惯性传感器专用集成电路设计方面取得突破性发展。 现代生活中,智能手机、汽车导航、游戏机、数码相机、音乐播放器、无线鼠标、硬盘保护器、智能玩具、计步器、防盗系统等等都融入了MEMS惯性传感器,虽然它们通常只有几毫米甚至更小,却是解决导航、定位、定向和运动姿态测量的重要部件。 2015年9月,微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS(JSSC)..
2015-09-26
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