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高性能功率IGBT晶体管的关键技术
关键字：
IGBT晶体管
所属行业：
电子信息
发布时间：
2015-01-20
价格：
所在地区：
陕西 西安
合作信息期限：
2016年1月
合作信息类型：
技术协作
机构类型：
企业
供求关系：
供应
合作信息简介：
【技术简介】功率IGBT晶体管是新一代大功率半导体器件，其主要优点是开关迅速、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好。 由于开关迅速，在开关电源等变流装置中，可使电路在更高的频率下工作，因此可大大减小变压器的体积和重量。由于驱动功率小，使驱动电路大大简化，元器件数量减少，故障..
发布机构：
西安卫光科技有限公司
高功率输出新型中远红外波段非线性光学晶体 磷化锗锌和砷化锗镉生长及性能研究
关键字：
远红外波
所属行业：
新材料
发布时间：
2014-11-07
价格：
所在地区：
黑龙江 哈尔滨
合作信息期限：
2015年12月
合作信息类型：
成果转让
机构类型：
高等院校
供求关系：
供应
合作信息简介：
磷化锌锗 (ZnGeP2， ZGP)和砷化锗镉(CdGeAs2， CGA)晶体是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最好的，这两种晶体是所有已知的非线性光学晶体中非线性系数最高者之一。本人于2003年获得国家自然科学基金资助，进行ZGP的研制；同时，2003年1月-2004年1月获国家教委留学基金资助，在美国斯坦福大学先进材料实..
发布机构：
哈尔滨工业大学
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
关键字：
硅单晶体
所属行业：
新材料
发布时间：
2014-11-07
价格：
所在地区：
江苏 南京
合作信息期限：
2015年12月
合作信息类型：
成果转让
机构类型：
高等院校
供求关系：
供应
合作信息简介：
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波..
发布机构：
南京航空航天大学
共
3
页 总数：
29
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