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LED芯片低温焊接技术产业化
关键字：
LED芯片
低温
焊接技术
产业化
所属行业：
机械
发布时间：
2015-10-09
价格：
所在地区：
黑龙江 哈尔滨
合作信息期限：
2016年7月
合作信息类型：
意向合作
机构类型：
高等院校
供求关系：
供应
合作信息简介：
成果简介： 本项目是LED技术产业化项目，主要目的是通过哈工大独有的焊接技术实现LED芯片基底与铝基板无缝金属焊接，改变传统用导热硅脂做介质导热方式，从根本上解决芯片到散热器的热传导问题，使芯片的功效增加30%，灯珠照度增加35%LM值，比传统LED灯降低了30-50%的生产成本。 该项技..
发布机构：
哈尔滨工业大学
7W单芯片LED灯的散热技术
关键字：
LED灯
单芯片
散热
所属行业：
其他
发布时间：
2015-09-22
价格：
所在地区：
江苏 苏州
合作信息期限：
2016年7月
合作信息类型：
意向合作
机构类型：
高等院校
供求关系：
供应
合作信息简介：
成果名称：7W单芯片LED灯的散热技术 成果简介： 随着LED材料及封装技术的不断演进，促使LED产品亮度不断提高，但LED的散热问题越来越成为限制其发展的技术瓶颈。高温对电子产品的影响：绝缘性能退化;元器件损坏;材料的热老化;低熔点焊缝开裂、焊点脱落。 应用领域： LED..
发布机构：
苏州大学科学技术与产业部
一种半弧形Bi2Se3超薄纳米片的制备方法
关键字：
超薄纳米
片
所属行业：
新材料
发布时间：
2015-08-21
价格：
所在地区：
四川 成都
合作信息期限：
2017年2月
合作信息类型：
意向合作
机构类型：
高等院校
供求关系：
供应
合作信息简介：
成果名称：一种半弧形Bi2Se3超薄纳米片的制备方法 成果拥有单位：西南交通大学 成果简介： 本发明涉及一种半弧形Bi2Se3超薄纳米片的制备方法，其具体作法是：a、配制混合溶液：分别称量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O，0.5-1.5mmol Se，1mmolNa2SO3,将其混合后放入高压釜内衬。在高压釜内衬中加入..
发布机构：
西南交通大学
超薄铌酸锂晶片加工技术
关键字：
铌酸锂晶片
晶片
所属行业：
电子信息
发布时间：
2015-08-11
价格：
所在地区：
浙江 湖州
合作信息期限：
2016年12月
合作信息类型：
意向合作
机构类型：
企业
供求关系：
需求
合作信息简介：
难题名称：超薄铌酸锂晶片加工技术 合作方式： 状态：已审核 主要内容：晶片直径：100mm晶片厚度：0.1mmTTV<0.002mm双面无损抛光 技术经济指标： 拟提供资金：20万元 拟提供条件： 备 注：未填 发布时间：2008-04-09
发布机构：
德清华莹电子有限公司
超高亮度GaN基LED芯片
关键字：
芯片
所属行业：
电子信息
发布时间：
2015-08-06
价格：
所在地区：
福建 厦门
合作信息期限：
2017年3月
合作信息类型：
意向合作
机构类型：
高等院校
供求关系：
供应
合作信息简介：
成果名称：超高亮度GaN基LED芯片 成果拥有单位：厦门大学 成果简介： 半导体LED(发光二极管)具有发光效率高、多色、节能、寿命长、响应快、体积小、全固化、冷光源(不发热)、绿色环保(无污染)、驱动容易等许多优点，广泛应用于各种信号和图像的显示。近年来国际上在GaN基材料上..
发布机构：
厦门大学
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页 总数：
165
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