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2”GaN衬底
关键字：
2”GaN衬底
所属行业：
新材料
发布时间：
2015-12-09
价格：
所在地区：
江苏 苏州
合作信息期限：
2017年5月
合作信息类型：
意向合作
机构类型：
科研院所
供求关系：
供应
合作信息简介：
氮化镓(GaN)晶片作为第三代半导体发展的关键材料，是未来新一代光电子、功率电子和高频微电子器件的关键支撑材料。其核心技术是氢化物气相外延。在流体动力学模拟、应用控制技术、衬底分离技术、掺杂技术、研磨抛光技术等多方面取得突破，实现了氮化镓(GaN)晶片的成套制备技术，各项技术指标达到国际..
发布机构：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
共
1
页 总数：
2
条
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